Fuente: Samsung Internacional

Samsung Electronics, anuncio hoy que comenzó a producir en masa sus chips de memoria V-NAND de quinta generación con las transferencias de datos más rápidas disponibles en la actualidad. En el primer uso de la industria de la interfaz ‘Toggle DDR 4.0’, la velocidad para transmitir datos entre el almacenamiento y la memoria sobre el nuevo V-NAND de 256 gigabits (Gb) de Samsung ha alcanzado 1.4 gigabits por segundo (Gbps), un 40 por ciento aumentar desde su predecesor de 64 capas.

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Ademas Samsung continua con la eficiencia energética de la nueva V-NAND totalmente comparable a la del chip de 64 capas, principalmente porque la tensión de funcionamiento se ha reducido de 1,8 voltios a 1,2 voltios. El nuevo V-NAND también tiene la velocidad de escritura de datos más rápida hasta la fecha a 500 microsegundos (μs), representando una mejora del 30 por ciento sobre la velocidad de escritura de la generación anterior, mientras que el tiempo de respuesta a las señales de lectura ha sido significativamente reducido a 50μs.

Y por ultimo Samsung anuncia que acelerará rápidamente la producción de su quinta generación V-NAND para satisfacer una amplia gama de necesidades del mercado, no solo para satisfacer la mas grande exigencia en smartphone de alta gama, sino también para servidores y equipos de alto rendimiento.

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