Fuente: Samsung Corea

Anoche en #Radiogeek #podcast les contábamos del avance que esta teniendo Samsung en materia de memorias. En este caso puntual compartimos la información de esta segunda generación de memorias DRAM LPDDR4X.

Samsung Electronics, anunció en el día de ayer que comenzó a producir en masa la nueva generación de la industria en 10 nanómetros de clase (1y-nm), LPDDR4X (baja potencia, velocidad de datos doble, 4X) DRAM para mejorar la eficiencia y reducir el consumo de batería de los teléfonos inteligentes premium y otras aplicaciones móviles actuales.

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Comparado con los chips de memoria DRAM móviles más utilizados en dispositivos móviles actuales (LPDDR4X de 1x-nm y 16Gb), la DRAM LPDDR4X de 2ª generación ofrece hasta 10% de reducción de energía mientras mantiene la misma velocidad de datos de 4,266 megabits por segundo (Mb / s).

“El advenimiento de la DRAM móvil de 10nm permitirá soluciones significativamente mejoradas para los dispositivos móviles insignia de próxima generación que deberían llegar al mercado a fines de este año o en la primera parte de 2019”, dijo Sewon Chun, vicepresidente senior de Ventas de Memoria & Marketing en Samsung Electronics. “Continuaremos haciendo crecer nuestra línea de DRAM premium para liderar el segmento de memoria ‘de alto rendimiento, alta capacidad y baja potencia’ para satisfacer la demanda del mercado y fortalecer nuestra competitividad empresarial”.

Samsung ampliará su línea de DRAM premium que se basa en el proceso de 1y-nm en más del 70 por ciento. Esta iniciativa comenzó con la producción masiva del primer servidor DRM DDR4 de 8GB y 10nm en noviembre pasado y continúa con este chip de memoria móvil LPDDR4X de 16Gb solo ocho meses después.

 

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Con sus avances LPDDR4X, Samsung ampliará rápidamente su cuota de DRAM móvil en el mercado al proporcionar una variedad de productos de alta capacidad, incluidos paquetes LPDDR4X de 4GB, 6GB y 8GB.

En línea con su lanzamiento de LPDDR4X clase 10nm, Samsung ha comenzado a operar una nueva línea de producción de DRAM en Pyeongtaek, Corea, para asegurar un suministro estable de todos los chips DRAM móviles, en respuesta a la creciente demanda.

CRONOGRAMA: Historial de producción en masa de Samsung de DRAM móvil desde 2012

1 2012.08 2GB Clase 30nm 4Gb LPDDR3, 1600 Mb / s
2 2013.04 2GB Clase 20nm (2y) 4Gb LPDDR3, 2133Mb / s
3 2013.11 3GB Clase 20nm (2y) 6Gb LPDDR3, 2133Mb / s
4 2014.09 3GB Clase 20nm (2z) 6Gb LPDDR3, 2133Mb / s
5 2014.12 4 GB Clase 20nm (2z) 8 GB LPDDR4, 3200 Mb / s
6 2015.08 6GB Clase 20nm (2z) 12Gb LPDDR4, 4266Mb / s
7 2016.09 8GB Clase 10nm (1x) 16Gb LPDDR4, 4266 Mb / s
8 2018.07 8GB Clase 10nm (1y) 16 GB LPDDR4X, 4266 Mb / s

 

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