Fuente Samsung News Global

Samsung Electronics, anunció que comenzó a producir en masa el primer almacenamiento flash universal (eUFS) 3.0 de 512 gigabytes (GB) para dispositivos móviles de próxima generación. En línea con la última especificación de eUFS 3.0, la nueva memoria de Samsung ofrece el doble de la velocidad del almacenamiento de eUFS anterior (eUFS 2.1), permitiendo que la memoria móvil admita experiencias de usuario sin problemas en futuros teléfonos con pantallas de gran resolución y gran tamaño.

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“El comienzo de la producción masiva de nuestra línea de productos eUFS 3.0 nos brinda una gran ventaja en el mercado móvil de próxima generación, al cual traemos una velocidad de lectura de memoria que antes solo estaba disponible en computadoras portátiles ultra delgadas”, dijo Cheol Choi, vicepresidente ejecutivo de Venta y comercialización de memorias en Samsung Electronics. “A medida que ampliamos nuestras ofertas de eUFS 3.0, incluida la versión 1-Terabyte (TB) a finales de este año, esperamos desempeñar un papel importante en la aceleración del impulso dentro del mercado móvil premium”.

Samsung produjo la primera interfaz UFS de la industria con eUFS 2.0 en enero de 2015, que era 1.4 veces más rápida que el estándar de memoria móvil en ese momento, conocida como la tarjeta multimedia integrada (eMMC) 5.1. En solo cuatro años, el nuevo eUFS 3.0 de la compañía coincide con el rendimiento de los portátiles ultra delgados de hoy.

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La asombrosa velocidad de lectura de la nueva solución es cuatro veces más rápida que la de una unidad de estado sólido (SSD) SATA y 20 veces más rápida que una tarjeta microSD típica, lo que permite a los teléfonos inteligentes premium transferir una película Full HD a una PC en aproximadamente tres segundos. Además, la velocidad de escritura secuencial también se ha mejorado en un 50 por ciento a 410MB / s, que es equivalente a la de un SSD SATA.

Las velocidades de lectura y escritura aleatorias de la nueva memoria proporcionan un aumento de hasta el 36 por ciento con respecto a la especificación actual de la industria eUFS 2.1, con 63,000 y 68,000 operaciones de entrada / salida por segundo (IOPS), respectivamente. Con las importantes ganancias en lecturas y escrituras aleatorias que son más de 630 veces más rápidas que las tarjetas microSD generales (100 IOPS), se pueden ejecutar simultáneamente varias aplicaciones complejas, al mismo tiempo que se mejora la capacidad de respuesta, especialmente en la última generación de dispositivos móviles.

Siguiendo el eUFS 3.0 de 512 GB y la versión de 128 GB que se lanzarán este mes, Samsung planea producir modelos de 1 TB y 256 GB en la segunda mitad del año, para ayudar aún más a los fabricantes mundiales de dispositivos a entregar mejor las innovaciones móviles del futuro.

Veamos una tabla comparativa:

Almacenamiento de memoria
Velocidad de lectura secuencial

Velocidad de escritura secuencial

Velocidad de lecturaaleatoria

Velocidad de escritura aleatoria
EUFS 3.0 de 512 GB
(febrero de 2019)
2100MB / s
(x2.10)
410MB / s
(x1.58)
63,000 IOPS
(x1.09)
68,000 IOPS
(x1.36)
EUFS 2.1 TB 
(enero 2019)
1000MB / s 260MB / s 58,000 IOPS 50,000 IOPS
512 GB de eUFS 2.1 
(noviembre de 2017)
860MB / s 255MB / s 42,000 IOPS 40,000 IOPS
eUFS 2.1 para automoción 
(septiembre de 2017)
850MB / s 150MB / s 45,000 IOPS 32,000 IOPS
Tarjeta UFS de 256 GB 
(julio de 2016)
530MB / s 170MB / s 40,000 IOPS 35,000 IOPS
256 GB de eUFS 2.0 
(febrero de 2016)
850MB / s 260MB / s 45,000 IOPS 40,000 IOPS
128 GB eUFS 2.0 
(enero de 2015)
350MB / s 150MB / s 19,000 IOPS 14,000 IOPS
eMMC 5.1 250MB / s 125MB / s 11,000 IOPS 13,000 IOPS
eMMC 5.0 250MB / s  90MB / s  7,000 IOPS 13,000 IOPS
eMMC 4.5 140MB / s  50MB / s  7,000 IOPS  2,000 IOPS

 

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