Fuente Samsung Global 

Samsung Electronics, anunció que ha comenzado a producir en masa la DRAM móvil de mayor capacidad, el primer paquete 4X (LPDDR4X) de baja potencia de 12 gigabytes (GB) de la industria, optimizado para el futuro Smartphones premium. Con una mayor capacidad que la mayoría de los portátiles ultra delgados, la nueva DRAM móvil permitirá a los usuarios de teléfonos inteligentes aprovechar al máximo todas las funciones de los teléfonos inteligentes de próxima generación.

“Con la producción en masa del nuevo LPDDR4X, Samsung ahora ofrece una línea completa de memoria avanzada para impulsar la nueva era de los teléfonos inteligentes, desde DRAM móvil de 12 GB a almacenamiento de 512 GB eUFS 3.0”, dijo Sewon Chun, vicepresidente ejecutivo de Marketing de memoria en Samsung. Electrónica. “Además, con el LPDDR4X, estamos fortaleciendo nuestra posición como el fabricante de memoria móvil premium mejor posicionado para satisfacer la creciente demanda de los fabricantes mundiales de teléfonos inteligentes”.

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Gracias a la memoria DRAM móvil de 12 GB, los fabricantes de teléfonos inteligentes pueden maximizar el potencial de los dispositivos que cuentan con más de cinco cámaras y tamaños de pantalla cada vez mayores, así como inteligencia artificial y capacidades 5G. Para los usuarios de teléfonos inteligentes, la DRAM de 12 GB permite realizar múltiples tareas de forma más fluida y realizar búsquedas más rápidas a medida que navegan por una gran variedad de aplicaciones en pantallas de gran resolución de gran tamaño. Además, el grosor de 1.1 milímetros permite incluso diseños de teléfonos inteligentes más elegantes.

La capacidad de 12 GB se logró mediante la combinación de seis chips LPDDR4X de 16 gigabits (Gb) basados ​​en el proceso de la segunda generación de clase 10nm (1y-nm) en un solo paquete, lo que proporciona más espacio para la batería del teléfono inteligente. Además, al utilizar la tecnología 1y-nm de la compañía, la nueva memoria móvil de 12GB ofrece una velocidad de transferencia de datos de 34.1GB por segundo mientras minimiza el aumento en el consumo de energía causado inevitablemente por un aumento en la capacidad de DRAM.

Desde la introducción de DRAM móvil de 1 GB en 2011, Samsung continúa impulsando avances de capacidad en el mercado de la DRAM móvil, pasando de 6 GB (en 2015) y 8 GB (2016) al primer LPDDR4X de 12 GB de hoy. Desde su línea de memoria de vanguardia en Pyeongtaek, Corea, Samsung planea más que triplicar el suministro de su DRAM móvil de 8 GB y 12 GB basado en 1y nm durante la segunda mitad de 2019 para satisfacer la alta demanda anticipada.

[Referencia] Samsung Mobile DRAM Timeline: Production / Mass Prod.

Fecha Capacidad DRAM móvil
Febrero 2019 12GB 1y-nm 16Gb LPDDR4X, 4266Mb / s
Julio de 2018 8GB 1y-nm 16Gb LPDDR4X, 4266Mb / s
Abril 2018 8GB (desarrollo) 1x-nm 8Gb LPDDR5, 6400Mb / s
Septiembre 2016 8GB 1x-nm 16Gb LPDDR4X, 4266Mb / s
Agosto de 2015 6GB 20nm (2z) 12Gb LPDDR4, 4266Mb / s
Diciembre 2014 4 GB 20nm (2z) 8Gb LPDDR4, 3200Mb / s
Septiembre de 2014 3GB 20nm (2z) 6Gb LPDDR3, 2133Mb / s
Noviembre de 2013 3GB 2y-nm 6Gb LPDDR3, 2133Mb / s
julio 2013 3GB 2y-nm 4Gb LPDDR3, 2133Mb / s
abril 2013 2GB 2y-nm 4Gb LPDDR3, 2133Mb / s
Agosto de 2012 2GB LPDDR3 clase de 30 nm 4Gb, 1600Mb / s
2011 1 / 2GB Clase de 30 nm 4Gb LPDDR2, 1066Mb / s
2010 512MB 40 nm de clase de 2Gb MDDR, 400Mb / s
2009 256MB MDDR de clase 50nm 1Gb, 400Mb / s

 

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