No todo en Samsung son smartphones y televisores; aunque tenemos que reconocer que esos lineales son muy destacados por su excelente calidad y prestaciones. Aunque Samsung se destaca y mucho por la fabricación de componentes que luego son vendidos de otros fabricantes; como asi también utilizados de forma interna para sus productos.

En el día de hoy les traemos una noticia con tinte oficial; en donde la compañía desde su Sitio de prensa Internacional; publico la noticia de que comenzaron a fabricar módulos de memoria DRAM LPDDR5 de 12GB para los equipos móviles.

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Y por supuesto les traemos el texto tal cual fue publicado:

Samsung Electronics,  anunció hoy bien temprano que comenzó a producir en masa la primera DRAM móvil LPDDR5 de 12 gigabits (Gb) de la industria, que se ha optimizado para habilitar las funciones 5G y AI en los futuros teléfonos inteligentes. La nueva memoria móvil viene solo cinco meses después de anunciar la producción en masa del LPDDR4X de 12 GB, lo que refuerza aún más la línea de memoria premium de la compañía. Samsung también planea comenzar la producción masiva de paquetes LPDDR5 de 12 gigabytes (GB) a fines de este mes, cada uno combinando ocho de los chips de 12Gb, en línea con la creciente demanda de mayor rendimiento y capacidad de los teléfonos inteligentes de los fabricantes de teléfonos inteligentes de primera calidad.

“Con la producción en masa del LPDDR5 de 12 Gb basado en el último proceso de clase de 10 nanómetros (nm) de Samsung de segunda generación, estamos encantados de apoyar el lanzamiento oportuno de los teléfonos inteligentes emblemáticos 5G para nuestros clientes en todo el mundo”, dijo Jung-bae Lee, ejecutivo vicepresidente de DRAM Product & Technology, Samsung Electronics. “Samsung sigue comprometido con la introducción rápida de tecnologías de memoria móvil de próxima generación que ofrezcan mayor rendimiento y mayor capacidad, a medida que continuamos impulsando el crecimiento agresivo del mercado de memoria premium”.

Gracias a su velocidad y eficiencia de energía líderes en la industria, la nueva DRAM móvil de Samsung puede permitir que los teléfonos inteligentes estrella de la próxima generación aprovechen al máximo las capacidades de 5G y AI, como la grabación de video de ultra alta definición y el aprendizaje automático, al mismo tiempo que extienden la vida útil de la batería.

A una velocidad de datos de 5,500 megabits por segundo (Mb / s), el LPDDR5 de 12Gb es aproximadamente 1.3 veces más rápido que la memoria móvil anterior (LPDDR4X, 4266Mb / s) que se encuentra en los teléfonos inteligentes de gama alta de hoy en día. Cuando se convierte en un paquete de 12GB, el LPDDR5 puede transferir 44GB de datos, o aproximadamente 12 películas en Full HD (tamaño de 3.7GB), en solo un segundo. El nuevo chip también usa hasta un 30 por ciento menos de energía que su predecesor al integrar un nuevo diseño de circuito con funciones mejoradas de reloj, entrenamiento y baja potencia que aseguran un rendimiento estable incluso cuando se opera a una velocidad increíblemente rápida.

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Para administrar la capacidad de producción con mayor flexibilidad, Samsung está considerando transferir su producción de 12Gb LPDDR5 a su campus de Pyeongtaek (Corea) a partir del próximo año, dependiendo de la demanda de los clientes globales. Luego de la introducción de la DRAM móvil LPDDR5 de 12 Gb, Samsung espera desarrollar también una LPDDR5 de 16 Gb el próximo año, para consolidar su ventaja competitiva en el mercado de memoria global.

[Referencia] Samsung Mobile DRAM Timeline: Production / Mass Prod.

Fecha Capacidad DRAM móvil
Julio de 2019 12GB 10nm-class 12Gb LPDDR5, 5500Mb / s
Junio ​​2019 6GB 10nm-class 12Gb LPDDR5, 5500Mb / s
Febrero 2019 12GB 10nm-class 16Gb LPDDR4X, 4266Mb / s
Abril 2018 8GB (desarrollo) 10nm-class 8Gb LPDDR5, 6400Mb / s
Septiembre 2016 8GB 10nm-class 16Gb LPDDR4X, 4266Mb / s
Agosto de 2015 6GB 20nm 12Gb LPDDR4, 4266Mb / s
Diciembre 2014 4 GB 20nm 8Gb LPDDR4, 3200Mb / s
Septiembre 2014 3GB 20nm 6Gb LPDDR3, 2133Mb / s
Noviembre de 2013 3GB 20 nm de clase 6Gb LPDDR3, 2133Mb / s
julio 2013 3GB 20 nm de clase 4Gb LPDDR3, 2133Mb / s
abril 2013 2GB 20 nm de clase 4Gb LPDDR3, 2133Mb / s
Agosto de 2012 2GB LPDDR3 de 4 Gb de clase de 30 nm, 1600Mb / s
2011 1 / 2GB Clase de 30 nm 4Gb LPDDR2, 1066Mb / s
2010 512MB 40 nm de clase 2Gb MDDR, 400Mb / s
2009 256MB MDDR de clase 50nm 1Gb, 400Mb / s