Samsung Electronics Co., Ltd., anunció hoy que ha comenzado a producir en masa el primer paquete DRAM móvil LPDDR5 de 16 gigabytes (GB) de la industria para teléfonos inteligentes premium de próxima generación. Después de la producción en masa del primer LPDDR5 de 12GB de la industria en julio de 2019, el nuevo avance de 16GB liderará el mercado de memoria móvil premium con capacidad adicional que permite características mejoradas de 5G e IA, incluidos juegos ricos en gráficos y fotografía inteligente (Fuente Samsung USA).

“Samsung se ha comprometido a llevar las tecnologías de memoria a la vanguardia para permitir a los consumidores disfrutar de experiencias increíbles a través de sus dispositivos móviles. Estamos entusiasmados de mantenernos fieles a ese compromiso con nuestra nueva solución móvil de primera línea para fabricantes de dispositivos globales”, dijo Cheol Choi, vicepresidente senior de ventas y marketing de memoria de Samsung Electronics. “Con la introducción de una nueva línea de productos basada en nuestra tecnología de proceso de próxima generación a finales de este año, Samsung podrá abordar por completo las futuras demandas de memoria de los clientes globales”.

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La velocidad de transferencia de datos para el LPDDR5 de 16 GB llega a 5,500 megabits por segundo (Mb / s), aproximadamente 1.3 veces más rápido que la memoria móvil anterior (LPDDR4X, 4266Mb / s). En comparación con un paquete LPDDR4X de 8 GB, la nueva DRAM móvil ofrece más del 20 por ciento de ahorro de energía al tiempo que proporciona hasta el doble de capacidad.

El paquete DRAM móvil LPDDR5 de 16 GB de Samsung consta de ocho chips de 12 gigabits (Gb) y cuatro chips de 8 Gb, que equipan a los teléfonos inteligentes premium con el doble de capacidad DRAM que se encuentran en muchas computadoras portátiles y PC de juegos de gama alta en la actualidad. Junto con el rendimiento ultrarrápido, la capacidad más grande de la industria admite un juego dinámico y receptivo, así como gráficos de resolución ultra alta en teléfonos inteligentes premium para experiencias de juegos móviles altamente inmersivas.

A medida que Samsung continúa expandiendo la producción de DRAM móvil LPDDR5 en su sitio de Pyeongtaek, la compañía planea producir en masa productos LPDDR5 de 16 Gb basados ​​en tecnología de proceso de clase 10nm (1z) de tercera generación en la segunda mitad de este año, en línea con el desarrollo de un chipset de 6.400Mb / s. Se espera que esta implacable innovación posicione bien a Samsung para consolidar aún más su ventaja competitiva en mercados como dispositivos móviles premium, PC de alta gama y aplicaciones automotrices.

Samsung Mobile DRAM Timeline: Production / Mass Prod.

Fecha Capacidad DRAM móvil
Dic.2019 16 GB 10nm clase 12Gb + 8Gb LPDDR5, 5500Mb / s
Septiembre 2019 12 GB
(uMCP)
LPDDR4X de 24 Gb de clase 10nm, 4266 Mb / s
07.01.19 12GB LPDDR5 de 12 Gb de clase de 10 nm, 5500 Mb / s
06.01.19 6GB LPDDR5 de 12 Gb de clase de 10 nm, 5500 Mb / s
Febrero 2019 12GB LPDDR4X de 16 Gb de clase 10nm, 4266 Mb / s
07.01.18 8GB LPDDR4X de 16 Gb de clase 10nm, 4266 Mb / s
04.01.18 8GB
(desarrollo)
LPDDR5 de 8 Gb de clase 10nm, 6400 Mb / s
Septiembre 2016 8GB LPDDR4X de 16 Gb de clase 10nm, 4266 Mb / s
Agosto 2015 6GB 20nm 12Gb LPDDR4, 4266Mb / s
Diciembre 2014 4 GB 20nm 8Gb LPDDR4, 3200Mb / s
Septiembre 2014 3GB 20nm 6Gb LPDDR3, 2133Mb / s
Noviembre 2013 3GB LPDDR3 de 6 Gb de clase 20nm, 2133 Mb / s
07.01.13 3GB 20nm-class 4Gb LPDDR3, 2133Mb / s
04.01.13 2GB 20nm-class 4Gb LPDDR3, 2133Mb / s
Agosto 2012 2GB LPDDR3 4Gb clase 30nm, 1600Mb / s
2011 1 / 2GB LPDDR2 de 4 Gb de clase 30nm, 1066 Mb / s
2010 512MB MDDR de 40 GB de clase 2 Gb, 400 Mb / s
2009 256MB MDDR de clase 1 de 50 nm, 400 Mb / s